RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
96
Por volta de -269% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
15.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3876
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link