RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
96
Por volta de -465% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
17
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
22.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
16.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3704
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link