RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
96
Por volta de -167% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
36
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2792
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link