RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
96
Por volta de -200% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2831
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link