RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
41
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
41
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
7.8
Скорость записи, Гб/сек
8.5
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1677
1512
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Сравнения RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link