RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB против G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
40
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.3
17.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1654
3332
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link