RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
40
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1654
2374
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link