A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 94

Около -309% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.5 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.4 1,165.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

94 23
Скорость чтения, Гб/сек

1,882.0 16.5
Скорость записи, Гб/сек

1,165.4 10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

305 2537

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

модули RAM

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Kingston 9905702-135.A00G 8GB

Kingston 9905702-135.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

AMD R744G2606U1S 4GB

AMD R744G2606U1S 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

модули RAM

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 9905678-042.A00G 8GB

Kingston 9905678-042.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

модули RAM