RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
14
94
Около -571% меньшая задержка
Выше скорость чтения
26.4
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.8
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
14
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
26.4
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
19.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
4362
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link