RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
94
Около -176% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.1
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
34
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
11.1
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2319
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link