RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
64
94
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
64
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2205
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link