A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Средняя оценка

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Сообщить об ошибке

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 94

Около -154% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.3 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.9 1,165.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

94 37
Скорость чтения, Гб/сек

1,882.0 14.3
Скорость записи, Гб/сек

1,165.4 9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

305 2422

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Kingston 9905734-063.A00G 32GB

Kingston 9905734-063.A00G 32GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston 9965589-007.D01G 8GB

Kingston 9965589-007.D01G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB

Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

модули RAM

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM