RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
74
94
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
74
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
1825
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link