RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
11.0
Скорость записи, Гб/сек
9.1
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
1908
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link