RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.1
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
2847
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link