RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
39
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
39
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.1
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
2600
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link