RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2513
2812
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M392B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link