RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
49
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.8
2,343.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
35
Скорость чтения, Гб/сек
5,135.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,343.1
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
843
2091
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link