A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 40

Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.1 13.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.5 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 27
Скорость чтения, Гб/сек

13.6 14.1
Скорость записи, Гб/сек

7.8 8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2097 2436

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-481.A00LF 16GB

Kingston 9965516-481.A00LF 16GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

KingSpec KingSpec 16GB

KingSpec KingSpec 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

модули RAM