RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB против Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
41
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2324
2340
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link