RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
52
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
4200
Около 6.1 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
25600
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
2932
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link