A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Средняя оценка

Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 16.7

Среднее значение в тестах

Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 52

Около -73% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.2 1,145.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 4200

Около 4.05 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 30
Скорость чтения, Гб/сек

2,614.5 16.7
Скорость записи, Гб/сек

1,145.9 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 17000

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

409 3398

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

модули RAM

Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB

Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB

Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB

Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB

Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB

модули RAM