A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 15.5

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 52

Около -68% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.2 1,145.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 4200

Около 4.57 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 31
Скорость чтения, Гб/сек

2,614.5 15.5
Скорость записи, Гб/сек

1,145.9 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 19200

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

409 2819

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

модули RAM