RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
52
Около -49% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
2426
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link