RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
52
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
11.4
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
2062
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link