RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
52
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.9
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
40
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
9.1
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
2031
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link