RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
52
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
3131
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link