RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
54
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.3
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
4200
Около 6.1 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
54
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
25600
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
2938
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link