A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Средняя оценка

Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

66 69

Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения

2 16.2

Среднее значение в тестах

Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.3 1,557.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 69
Скорость чтения, Гб/сек

2,775.5 16.2
Скорость записи, Гб/сек

1,557.9 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

382 1980

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB

Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Kingston 9905678-044.A00G 8GB

Kingston 9905678-044.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Kingston 9965589-026.D00G 8GB

Kingston 9965589-026.D00G 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB

модули RAM