A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Средняя оценка

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

66 73

Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения

2 15.1

Среднее значение в тестах

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.1 1,557.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 73
Скорость чтения, Гб/сек

2,775.5 15.1
Скорость записи, Гб/сек

1,557.9 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

382 1744

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB

Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB

Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

модули RAM

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

модули RAM