RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
66
Около -120% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3568
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link