RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
66
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
50
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
12.5
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2326
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link