RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
66
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.9
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
41
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
8.9
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2126
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link