RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
66
Около -128% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
13.5
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2088
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link