A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Средняя оценка

Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 16.6

Среднее значение в тестах

Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

64 66

Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.8 1,557.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 64
Скорость чтения, Гб/сек

2,775.5 16.6
Скорость записи, Гб/сек

1,557.9 8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

382 2065

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB

Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905678-029.A00G 8GB

Kingston 9905678-029.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB

Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB

G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB

модули RAM