A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Средняя оценка

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 12.5

Среднее значение в тестах

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Причины выбрать
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 66

Около -164% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.1 1,557.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 25
Скорость чтения, Гб/сек

2,775.5 12.5
Скорость записи, Гб/сек

1,557.9 6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

382 1858

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB

модули RAM

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB

модули RAM