RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
66
Около -214% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
21
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2980
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link