RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
66
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
39
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2159
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link