A-DATA Technology DQVE1B16 2GB против Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Средняя оценка

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 13.7

Среднее значение в тестах

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 68

Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.7 2,285.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

68 27
Скорость чтения, Гб/сек

4,165.3 13.7
Скорость записи, Гб/сек

2,285.0 8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

784 2193

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N

модули RAM

Corsair CM2X2048-6400C5 2GB

Corsair CM2X2048-6400C5 2GB

Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB

V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

модули RAM