RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
56
Около 34% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
7.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
56
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
20.1
Скорость записи, Гб/сек
7.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1905
2455
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB Сравнения RAM
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link