RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
40
Около -33% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
11.7
Скорость записи, Гб/сек
9.1
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2464
1832
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A2400C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link