RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
17.3
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3606
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link