RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2534
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link