A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,061.2 16.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 46

Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 28
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 18.0
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 3889

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB

модули RAM

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

модули RAM

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 9905625-142.A00G 16GB

Kingston 9905625-142.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB

модули RAM