RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
66
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
66
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
1877
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link