RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
17.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3660
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link