A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,061.2 14.6

Среднее значение в тестах

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

Причины выбрать
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 46

Около -31% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 35
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 16.9
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 3228

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB

Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB

Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston 9965690-002.A00G 8GB

Kingston 9965690-002.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

модули RAM