AMD AE34G1601U1 4GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

-->

Средняя оценка

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD AE34G1601U1 4GB

Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 67

Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.6 6.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.4 3.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD AE34G1601U1 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

67 32
Скорость чтения, Гб/сек

6.8 16.6
Скорость записи, Гб/сек

3.6 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

998 2955

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB

Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905665-017.A00G 4GB

Kingston 9905665-017.A00G 4GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

модули RAM

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

модули RAM