AMD AE34G1601U1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

-->

Средняя оценка

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD AE34G1601U1 4GB

Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB

Сообщить об ошибке

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 67

Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения

10.2 6.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.4 3.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD AE34G1601U1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

67 35
Скорость чтения, Гб/сек

6.8 10.2
Скорость записи, Гб/сек

3.6 7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

998 2124

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KHX2666C16/16G 16GB

Kingston KHX2666C16/16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB

Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB

Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

модули RAM