AMD AE34G1601U1 4GB против InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

-->

Средняя оценка

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Средняя оценка

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD AE34G1601U1 4GB

Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB

Сообщить об ошибке

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 67

Около -179% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.9 6.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.7 3.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD AE34G1601U1 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

67 24
Скорость чтения, Гб/сек

6.8 15.9
Скорость записи, Гб/сек

3.6 8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

998 2326

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Kingston HX432C15PB3/16 16GB

Kingston HX432C15PB3/16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston 99U5702-101.A00G 8GB

Kingston 99U5702-101.A00G 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Kingston 99U5713-002.A00G 4GB

Kingston 99U5713-002.A00G 4GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB

Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB

модули RAM